← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 17
Работа: Preparation and Thermoelectric Properties of Polycrystalline Si0.4Ge0.6
Laterally-Graded SiGe Crystals for High Resolution Synchrotron Optics
A. Erko, N. V. Abrosimov, V. Alex
Статья2002Цитирований: 6ABINew semiconductor detectors for nuclear radiation utilizing Si1-x Ge x alloy
М. С. Саидов, Р. А. Муминов, I. G. Atabaev +2
Статья1996Цитирований: 4ABISi-Ge solid solution single crystal growth by electron beam floating zone technique
М. С. Саидов, A. Yusupov, R. S. Umerov
Статья1981Цитирований: 2ABIImplementation of Low Thermal Budget Techniques to Si and SiGe MOSFET Device Processing
Michael Glück, J. Hersener, H.G. Umbach +2
Статья1997Цитирований: 2ABIRadiation Defects Formation in Si<Ge>
Lyudmila I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, Mikhail G. Sosnin +3
Статья1999Цитирований: 2ABI