Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 8

Работа: Comparative Study of 4H-SiC Irradiated with Neutrons and Heavy Ions

  1. Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy

    T. Dalibor, Gerhard Pensl, H. Matsunami +4

    Статья1997Цитирований: 5
    ABI

  2. High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions

    E. V. Kalinina, G. Kholujanov, В. Н. Соловьев +11

    Статья2000Цитирований: 4
    ABI

  3. Effect of irradiation with fast neutrons on electrical characteristics of devices based on CVD 4H-SiC epitaxial layers

    E. V. Kalinina, G. Kholuyanov, D. V. Davydov +5

    Статья2003Цитирований: 3
    ABI

  4. Influence of proton irradiation on recombination current in 6H–SiC pn structures

    Anatoly M. Strel’chuk, V. V. Kozlovski, N.S. Savkina +2

    Статья1999Цитирований: 3
    ABI

  5. Swift Heavy Ion Irradiation Effects in SiC Measured by Positrons

    L. Liszkay, K. Havancsák, M.F. Barthe +6

    Статья2001Цитирований: 2
    ABI

  6. Optical and electrical properties of 6H α-SiC irradiated by swift xenon ions

    M. Levalois, I. Lhermitte-Sebire, P. Marié +2

    Статья1996Цитирований: 2
    ABI

  7. Optical and electrical properties of 4H-SiC irradiated with fast neutrons and high-energy heavy ions

    E. V. Kalinina, G. Kholuyanov, Grigory Onushkin +7

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI