Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Current-voltage characteristics of Si/Si1 − x Ge x heterodiodes fabricated by direct bonding

1. Structural Quality of Directly Bonded Silicon Wafers with Regularly Grooved Interfaces

   E. D. Kim, S. C. Kim, J. M. Park +4

   Статья1997Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616007

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616005

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616006

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616008

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616009