Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 23

Работа: Persistent photoconductivity phenomena in GaMnAs grown via molecular beam epitaxy

1. Spin disorder scattering mechanism of ferromagnetic Ga1−xMnxAs layers on (100) GaAs substrates

   Im Taek Yoon, Tae Won Kang, K. H. Kim +1

   Статья2004Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.530995

2. Hybrid ferromagnetic/semiconductor heterostructures for spintronics

   Nitin Samarth, Seung‐Hyun Chun, K. C. Ku +2

   Статья2003Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.531003

3. Magnetotransport properties of<i>p</i>-type (In,Mn)As diluted magnetic III-V semiconductors

   Hideo Ohno, H. Munekata, T. Penney +2

   Статья1992Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625463

4. Study of photoluminescence spectra of GaMnAs produced by low-temperature molecular beam epitaxy

   P. B. Parchinskiy, A. Yu. Bobylev, С. И. Власов +2

   СтатьяZnO doping and propertiesSemiconductors2007Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2007.article.000187

5. Spintronics: recent progress and tomorrow's challenges

   Masaaki Tanaka

   Статья2005Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608620

6. Spintronics and spintronics materials

   В.А. Иванов, Т. Г. Аминов, Vladimir M. Novotortsev +1

   Статья2004Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624163

7. Photoconductivity and <i>n</i>- to <i>p</i>-type transition in silicon planar-doped GaAs structures with a doped cap layer

   A. G. de Oliveira, G. M. Ribeiro, D. A. W. Soares +3

   Статья1995Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625461

8. Tunneling anisotropic magnetoresistance effect in a p⁺‐(Ga,Mn)As/n⁺‐GaAs Esaki diode

   M. Ciorga, A. Einwanger, J. Sadowski +2

   Статья2006Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667265

9. Tunneling magnetoresistance in GaMnAs/AlAs/GaMnAs ferromagnetic semiconductor heterostructures

   Masaaki Tanaka, Y. Higo

   Статья2002Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667270

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667273

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667260

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667261

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667262

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667263

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667264

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667266

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667267

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667268

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667269

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667271

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667272

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667274

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667275