Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: Peculiarities of the Current–Voltage Characteristic of n-GaP–p-(InSb)1 – x(Sn2)x Heterostructures

1. The Mechanism of Current Transfer in n-GaAs – p(ZnSe)1-x-y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y Heterostructures

   С. З. Зайнабидинов, Khotamjon J. Mansurov, Akramjon Y. Boboev +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesEast European Journal of Physics2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.008697