Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: Electrical Properties and Photosensitivity of Multi-Barrier Photodiode Structure Based on Semi-Insulating GaAs

1. Three-junction Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag photodiode

   A. V. Karimov, D. A. Karimova

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science in Semiconductor Processing2003Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000100

2. Some features of photocurrent generation in single- and multibarrier photodiode structures

   A. V. Karimov, D. M. Yodgorova

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsSemiconductors2010Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2010.article.000151

3. Photocurrent gain mechanisms in metal-semiconductor-metal photodetectors

   M. Klingenstein, J. Kühl, J. Rosenzweig +4

   Статья1994Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579600

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579596

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579597

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579598

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579599

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579601

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579602

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579603

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.579604