Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 8

Работа: Study of the critical angle of channeling of active metal ions through thin aluminum films

1. Optimum ion implantation and annealing conditions for stimulating secondary negative ion emission

   З. А. Исаханов, Z. E. Mukhtarov, Б. Е. Умирзаков +1

   СтатьяIon-surface interactions and analysisTechnical Physics2011Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2011.article.000044

2. Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, D. M. Muradkabilov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2013Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.253376

3. Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, E.U. Boltaev +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science and Engineering B2003Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000028

4. Analysis of profiles of atomic distribution over the depth of Si-Me free nanofilm systems

   Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, М. К. Рузибаева +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2015Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.495098

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.701523

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.701524

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.701525

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.701526