Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 4

Работа: Development of technology for creating high-voltage p0–n0 junctions based on GaAs

1. Space-charge-induced negative resistance in avalanche diodes

   H.C. Bowers

   Статья1968Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.516461

2. The relative current change, concentration, and carrier mobility in silicon samples doped nickel and at pulse hydrostatic pressure

   О. О. Маматкаримов, Р. Х. Хамидов, A. A. Abdukarimov

   СтатьяElectromagnetic Effects on MaterialsMaterials Today Proceedings2019Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.000617

3. Peculiarities of influence of radiation defects on photoconductivity of silicon irradiated by fast neutrons

   M. Kаrimov, Sh. Makhkamov, Sh. A. Makhmudov +6

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesApplied Solar Energy2010Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.584392

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.584393