Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Photoelectric characteristics of Si-photocetitors

1. International Journal of Advanced Science and Technology

   Другое2019Цитирований: 117

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.028230

2. Ultrasonic annealing of surface states in the heterojunction of a p-Si/n-CdS/n +-CdS injection photodiode

   Ш. А. Мирсагатов, I. B. Sapaev, Zh. T. Nazarov

   СтатьяThermography and Photoacoustic TechniquesInorganic Materials2014Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2014.article.000071

3. Influence of Ultrasonic Waves on Current-Voltage Characteristics and Polarization Effects of Si-N-P Radiation Receivers

   Abdumalik Gaibov, Kutbiddin Ilovitddinovich Vakhobov, B.V. Ibragimova +2

   Статья3D IC and TSV technologiesMaterials science forum2022Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.001975