Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 16

Работа: Investigation of the Influence of Technological Factors on High-Voltage p0–n0 Junctions Based on GaAs

  1. Space-charge-induced negative resistance in avalanche diodes

    H.C. Bowers

    Статья1968Цитирований: 2
    ABI
  2. High speed heterojunction photodiodes and beam-of-light transistors

    R. H. Rediker, T.M. Quist, B. Lax

    Статья1963Цитирований: 2
    ABI
  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI