Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Thermally Stimulated Transformation of Oxygen Atoms Between Phase States in a Silicon Single Crystal

  1. Method to Measure the Precipitated and Total Oxygen Concentration in Silicon

    L. Jastrzȩbski, P. J. Zanzucchi, D. Thébault +1

    Статья1982Цитирований: 3
    ABI

  2. Oxygen Segregation and Microscopic Inhomogeneity in Czochralski Silicon

    Wen Lin, Michael Stavola

    Статья1985Цитирований: 3
    ABI

  3. Test Method for Interstitial Atomic Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption with Short Baseline

    F01 Committee

    Другое2000Цитирований: 3
    ABI

  4. Фазовый переход alpha-beta в примесной фазе монокристалла кремния SiO-=SUB=-2-=/SUB=-

    М.У. Каланов, A. V. Khugaev

    СтатьяX-ray Diffraction in CrystallographyПисьма в журнал технической физики2021Цитирований: 2
    ABI

  5. Czochralski growth of silicon

    W. Zulehner

    Статья1983Цитирований: 2
    ABI

  6. Oxygen-related thermal donors in silicon: A new structural and kinetic model

    A. Ourmazd, W. Schröter, A. Bourret

    Статья1984Цитирований: 2
    ABI

  7. Defects in silicon

    R.C. Newman

    Статья1982Цитирований: 2
    ABI

  8. Carbon in silicon: Properties and impact on devices

    Bernd O. Kolbesen, A. Mühlbauer

    Статья1982Цитирований: 2
    ABI

  9. Oxygen precipitation and microdefects in Czochralski-grown silicon crystals

    Kiyoshi Yasutake, M. Umeno, H. Kawabe

    Статья1984Цитирований: 2
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI