← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 52
Работа: Lattice mismatch, pressure and temperature effects on linear and nonlinear optical properties of InAs nanodots embedded in InAsP nanowires
Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys
I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram‐Mohan
Статья2001Цитирований: 21ABIBand nonparabolicity effects in semiconductor quantum wells
D. F. Nelson, Robert C. Miller, D. A. Kleinman
Статья1987Цитирований: 9ABILinear and nonlinear optical properties of a single dopant in GaN conical quantum dot with spherical cap
A. El Aouami, M. Bikerouin, Kawtar Feddi +10
Статья2020Цитирований: 2ABIExciton and Biexciton Luminescence from Single GaN/AlN Quantum Dots in Nanowires
Julien Renard, Rudeesun Songmuang, Catherine Bougerol +2
Статья2008Цитирований: 2ABIUltraclean Emission from InAsP Quantum Dots in Defect-Free Wurtzite InP Nanowires
Dan Dalacu, Khaled Mnaymneh, J. Lapointe +5
Статья2012Цитирований: 2ABICoherent Growth of InP/InAsP/InP Nanowires on a Si (111) Surface by Molecular-Beam Epitaxy
R. R. Reznik, G. É. Cirlin, I. V. Shtrom +5
Статья2018Цитирований: 2ABI