Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: Peculiarities of the electron structure of nanosized ion-implanted layers in silicon

1. Physics of semiconductors

   Статья1995Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.277843

2. Implantation of sodium ions into germanium

   V.M. Korol, Yu. Kudriavtsev

   Статья2012Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.213637

3. The Physics of Semiconductors

   Другое1990Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.345491

4. Atomic Diffusion in Semiconductors

   D. Shaw

   Книга1973Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.493198

5. Structure determination of the Si(111):B(√3×√3)<i>R</i>30° surface: Subsurface substitutional doping

   Randall L. Headrick, Ian Robinson, Elias Vlieg +1

   Статья1989Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.362841

6. The Nature of the Chemical Bond and the Structure of Molecules and Crystals

   C. K. Ingold

   Статья1940Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.493201

7. Thin silicide films: producing and properties

   А.С. Рысбаев, S. S. Nasriddinov, Yu. Yu. Yuldashev +4

   СтатьяSemiconductor materials and interfaces2004Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.493202

8. The Nature of the Chemical Bond and the Structure of Molecules and Crystals

   Статья1941Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.493203

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.493199

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.493200

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.493204