Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Composition and properties of nanoscale Si structures formed on the CoSi2/Si(111) surface by Ar+ ion bombardment

1. Estimation of changes in parameters of a crystal lattice and energy bands upon variation in the size of nanocrystals and nanofilms of silicides prepared by ion implantation

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Kh. Kh. Kurbanov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2011Цитирований: 12

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.196456

2. Features of CoSi2 phase formation by two-stage rapid thermal annealing of Ti/Co/Ti/Si(100) structures

   V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, В. В. Наумов +1

   Статья2011Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.196455

3. Semiconductor Surfaces and Interfaces

   F. Bechstedt, R. Enderlein, R. Enderlein

   Книга1988Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203261

4. Semiconductor Surfaces and Interfaces

   Winfried Mönch

   Книга1993Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203257

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.234116

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.234117