Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Applying low-energy ion implantation in the creation of nanocontacts on the surface of ultrathin semiconductor films

1. Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, E.U. Boltaev +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science and Engineering B2003Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000028

2. Estimation of changes in parameters of a crystal lattice and energy bands upon variation in the size of nanocrystals and nanofilms of silicides prepared by ion implantation

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Kh. Kh. Kurbanov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2011Цитирований: 12

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.196456

3. Measurement of Sheet Resistivities with the Four-Point Probe

   F. M. Smits

   Статья1958Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228826

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228819

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228820

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228821

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228822

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228823

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228824

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228825

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228827

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.228828