Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 14

Работа: Optimal Conditions for Nickel Doping to Improve the Efficiency of Silicon Photoelectric Cells

  1. Nickel: A very fast diffuser in silicon

    Jeanette Lindroos, David P. Fenning, D. J. Backlund +5

    Статья2013Цитирований: 17
    ABI

  2. Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n-Junction

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Z. T. Kenzhaev +3

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesApplied Solar Energy2020Цитирований: 15
    ABI

  3. Studying the Effect of Doping with Nickel on Silicon-Based Solar Cells with a Deep p–n-Junction

    М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Z. T. Kenzhaev +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters2019Цитирований: 12
    ABI

  4. Improvement of the efficiency of silicon solar cells

    B. I. Fuks

    Статья2014Цитирований: 5
    ABI

  5. Nickel solubility in intrinsic and doped silicon

    A. A. Istratov, P. Zhang, R. J. McDonald +6

    Статья2004Цитирований: 5
    ABI

  6. Solar cell efficiency tables (version 54)

    Martin A. Green, Ewan D. Dunlop, Dean H. Levi +3

    Статья2019Цитирований: 4
    ABI

  7. A Method for Calculating Operating Characteristics of Silicon Heterojunction Solar Cells with Arbitrary Parameters of Crystalline Substrates

    I. E. Panaĭotti, Е. И. Теруков, I. S. Shakhrai

    Статья2020Цитирований: 4
    ABI

  8. Diffusion in Silicon - 10 Years of Research

    David J. Fisher

    Книга1997Цитирований: 3
    ABI

  9. The Influence of the Conditions of Getter Formation in High-Resistivity Silicon on the Characteristics of PIN Photodiodes

    И. Б. Чистохин, K. B. Fritzler

    Статья2020Цитирований: 3
    ABI

  10. Formation of electrically active centers in silicon irradiated with electrons and then annealed at temperatures of 400–700°C

    E. P. Neustroev, S. A. Smagulova, I. V. Antonova +1

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  11. Diffusivity and solubility of Ni<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msup><mml:mrow><mml:mo>(</mml:mo></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>63</mml:mn></mml:mrow></mml:msup></mml:mrow></mml:math>Ni) in monocrystalline Si

    F. H. M. Spit, D. K. Gupta, K. N. Tu

    Статья1989Цитирований: 2
    ABI

  12. Ti, Fe, and Ni in Si and their interactions with the vacancy and the<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>A</mml:mi></mml:math>center: A theoretical study

    D. J. Backlund, S. K. Estreicher

    Статья2010Цитирований: 2
    ABI

  13. Ni cluster on a silicon surface by the Density Functional Theory and X-ray absorption spectroscopy investigations

    Victoria Mazalova, O. V. Farberovich, А. В. Солдатов

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI