Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: Temperature Dependence of the Band-Edge Injection Electroluminescence of 3C-SiC pn Structure

1. Temperature Dependence of the Band-Edge Injection Electroluminescence of 4H-SiC pn Structure

   Anatoly M. Strel’chuk, Evgenia V. Kalinina, A. А. Lebedev

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2013Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2013.article.000107