Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Growth and photosensitivity of pSi-n(GaSb)1 − x (Si2) x structures

1. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x

   А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, V.A. Risaeva +1

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsMaterials Chemistry and Physics2001Цитирований: 25

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.369422

2. Физика и техника полупроводников

   в.а. Спектр осцилляций де-Гааза-ван-Альфена резко

   Статья1983Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.353610

3. Preparation of GaSb substrates for GaSb and GaInAsSb growth by organometallic vapor phase epitaxy

   C.A Wang, D.A. Shiau, Ann Lin

   Статья2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527810

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624009

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624010