← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 23
Работа: Defect Structure of Silicon Doped with Erbium
Determining the material structure of microcrystalline silicon from Raman spectra
C. Smit, R.A.C.M.M. van Swaaij, H. Donker +3
Статья2003Цитирований: 4ABIRaman spectroscopy of PtSi formation at the Pt/Si(100) interface
J. C. Tsang, Y. Yokota, R. Matz +1
Статья1984Цитирований: 4ABIElectrophysical properties of silicon doped with lutetium
Sh.Kh. Daliev, Sharifa B. Utamuradova
Статья2024Цитирований: 4ABIOne and two-phonon Raman scattering from nanostructured silicon
Igor Iatsunskyi, Grzegorz Nowaczyk, Stefan Jurga +3
Статья2015Цитирований: 3ABIResonant Raman scattering of a single layer of Si nanocrystals on a silicon substrate
A. Wellner, Vincent Paillard, H. Coffin +2
Статья2004Цитирований: 3ABIRaman Spectra of Amorphous Si and Related Tetrahedrally Bonded Semiconductors
J.E. Smith, M. H. Brodsky, B. L. Crowder +2
Статья1971Цитирований: 3ABICritical-point analysis of the two-phonon Raman spectrum of silicon
K. Uchinokura, Tomoyuki Sekine, E. Matsuura
Статья1974Цитирований: 3ABIInitial Phase formation at the Interface of Ni, Pd, or Pt and Si
R. J. Nemanich, Chia-Lun Tsai, B. Stafford +2
Статья1983Цитирований: 2ABI