Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Hall mobility of polycrystalline silicon

1. Electrophysical properties of solar polycrystalline silicon and its n +-p structures at elevated temperatures

   B. M. Abdurakhmanov, L. O. Olimov, М. С. Саидов

   СтатьяThin-Film Transistor TechnologiesApplied Solar Energy2008Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.329306

2. Temperature dependence of the electrical properties of polycrystalline silicon in the dark and in sunlight

   K. M. Doshchanov

   СтатьяThin-Film Transistor TechnologiesSemiconductors1997Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1997.article.000100