Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al

   I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, V. A. Pak

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Condensed Matter Physics2017Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390748