Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 13

Работа: Growth of Ge1 − x Sn x solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties

  1. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1117
    ABI
  2. Double-injection currents in semiconductors

    É. I. Adirovich, P. M. Karageorgii-Alkalaev, A. Iu. Leiderman

    Статья1978Цитирований: 14
    ABI
  3. THE THEORY OF X-RAY SCATTERING

    Глава2015Цитирований: 5
    ABI
  4. Surfactant-mediated growth of Si 1-x Sn x layers by molecular-beam epitaxy

    M. F. Fyhn, J. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier +1

    Статья1999Цитирований: 3
    ABI
  5. The Pressure Effect on the Phase Diagrams of the GeSn and SiSn Systems

    T. Soma, K. Kamada, H.‐Matsuo Kagaya

    Статья1988Цитирований: 2
    ABI
  6. Characterization of Ge-on-Si virtual substrates and single junction GaAs solar cells

    R. Ginige, Brian Corbett, M. Modreanu +5

    Статья2006Цитирований: 2
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI