← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 13
Работа: Growth of Ge1 − x Sn x solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties
Double-injection currents in semiconductors
É. I. Adirovich, P. M. Karageorgii-Alkalaev, A. Iu. Leiderman
Статья1978Цитирований: 14ABISurfactant-mediated growth of Si 1-x Sn x layers by molecular-beam epitaxy
M. F. Fyhn, J. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier +1
Статья1999Цитирований: 3ABIThe Pressure Effect on the Phase Diagrams of the GeSn and SiSn Systems
T. Soma, K. Kamada, H.‐Matsuo Kagaya
Статья1988Цитирований: 2ABICharacterization of Ge-on-Si virtual substrates and single junction GaAs solar cells
R. Ginige, Brian Corbett, M. Modreanu +5
Статья2006Цитирований: 2ABI