Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Possibility of obtaining the (GaSb)1 − x (Si2) x films on silicon substrates by the method of liquid-phase epitaxy

   Sh. N. Usmonov, А. С. Саидов, A. Yu. Leyderman +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2009Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.400552