Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films

   S.Z. Zaynabidinov, А. С. Саидов, A. Yu. Leĭderman +4

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSemiconductors2016Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386213