Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: EFFECT OF ION-IMPLANTATION DAMAGE ON THE OPTICAL REFLECTION SPECTRUM OF GALLIUM ARSENIDE

1. Study of the dependence of the degree of disordering of the surface layers of Si(111) and Ge(111) single crystals upon bombardment with low-energy ions

   Б. Е. Умирзаков, I. R. Bekpulatov, Gunel Imanova +2

   СтатьяIon-surface interactions and analysisEurasian journal of physics and functional materials2023Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.267071

2. Ion doping of gallium arsenide

   П. В. Павлов, E. I. Zorin, D. I. Tetelbaum

   СтатьяPhase-change materials and chalcogenidesRussian Physics Journal1980Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1980.article.000147