Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: The Physics of Semiconductor Devices

1. Photodetectors based on osmium-doped silicon

   Marat S. Yunusov, Р. А. Муминов, G. Nurkuziev +2

   СтатьяPhotonic and Optical DevicesSemiconductors1999Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1999.article.000099

2. Effect of neutron irradiation on the structure of silicon p-n junctions of voltage limiters

   A. Z. Rakhmatov

   СтатьяAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignSemiconductors2014Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2014.article.000431