Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Growth of GaN by molecular-beam epitaxy with activation of the nitrogen by a capacitive rf magnetron discharge

   V. V. Mamutin, В. Н. Жмерик, T. V. Shubina +5

   СтатьяGaN-based semiconductor devices and materialsTechnical Physics Letters1998Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1998.article.000162