Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Frequency dependence of the reverse-biased capacitance of gold-doped silicon P⁺N step junctions

1. Influence of X-irradiation on silicon Schottky diodes

   U.A. Shakirov, Marat S. Yunusov

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1976Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1976.article.000036

2. Behavior of epitaxial GaAs layers as α particle detectors

   V. M. Botnaryuk, Yu. V. Zhilyaev, А. М. Иванов +2

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsTechnical Physics Letters1998Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1998.article.000192