Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: AFM and XRD studies of GaAs surface after anisotropic etching

1. Photophysical characteristics of microlayer photodiode pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au structures

   D. M. Edgorova, F. M. Ashrapov

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesJournal of Engineering Physics and Thermophysics2007Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2007.article.000273