Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Crystal growth : theory and techniques

1. Kinetics and growth mechanism of gallium arsenide crystals in gas-phase epitaxy

   L. G. Lavrent’eva

   Статьяnanoparticles nucleation surface interactionsRussian Physics Journal1980Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1980.article.000078

2. Effect of substrate crystal on mechanical stresses in heteroepitaxial photo-conversion Ga x In1 − x P/GaP structures

   M. A. Abdukadyrov, A. S. Ganiev, I. O. Dzhumaniyazov +1

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesApplied Solar Energy2013Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2013.article.000552