Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Doping mechanisms of gallium arsenide with tin in gas phase epitaxy processes

   I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, L. P. Porokhovnichenko +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesRussian Physics Journal1990Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1990.article.000080