Electrical Properties and Positron Annihilation in Neutron-Irradiated n-InP

The dose dependence and the annealing behavior of n-InP (n0 = 3.9 × 1018 cm−3) after fast and fission neutron irradiation at T ≦ 70 °C up to 3.5 × 1019 cm−2 are studied using electrical and positron annihilation methods. The Fermi level displacement (carrier-removal rate 102 cm−1) to the final position near Ec - 0.3 eV is observed upon neutron bombardment. Vacancy-type defects with high binding energy (≈ 2 eV) of the positrons are found in neutron-irradiated samples. Defect clustering is observed during post-irradiated isochronal annealing. The radiation damage introduced can recover by annealing at T ≧ 700 °C. Die Dosisabhängigkeit und das Ausheilverhalten von n-InP (n0 = 3,9 × 1018 cm−3) nach Bestrahlung mit schnellen und Reaktor-Neutronen bei T ≦ 70 °C bis zu 3,5 × 1019 cm−2 werden mittels elektrischen und Positron-Annihilationsmethoden untersucht. Die Ferminiveauverschiebung (Ladungsträgerrate 102 cm−1) zur Endlage bei Ec = 0,3 eV wird nach der Neutronenbe-strahlung beobachtet. Defekte vom Leerstellentyp mit hoher Bindungsenergie (≈ 2 eV) der Positronen werden in den neutronenbestrahlten Proben gefunden. Während der isochronen Temperung und der Bestrahlung wird Defektclustering beobachtet. Das eingeführte Strahlungs-damage läßt sich durch Tempern bei T = 700 °C ausheilen.

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