The study of influence of the duration of formation of p + -layer on the process of radiation defect production in silicon structures
Sh. MakhkamovN.A. TursunovM. AshurovR.P. SaidovS.V. MartynchenkoAN RU, Tashkent (Uzbekistan). Inst. Yadernoj Fiziki
1997en
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада