Capacitance transient spectroscopy of radiation defects on Si-SiO 2 interface of silicon mis-structures
Kh.Sh. DalievSharifa B. UtamuradovaA.J. AkbarovTashkentskij Gosudarstvennyj Univ., Tashkent (Uzbekistan)
1999en
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба