Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
Мақола

Capacitance transient spectroscopy of radiation defects on the interface Si-SiO 2 of silcon MIS-structures

Shakhrukh Kh. DalievSharifa B. UtamuradovaKh.S. DalievNational University of Uzbekistan, TAshkent, Uzbekistan
2004en
ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Мавзулар

Иқтибослар ва манбалар

0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада