Study of current-voltage characteristics of Si-(Si 2 ) 1-x (GaAs) x grown on polycrystal silicon substrate by Liquid Phase Epitaxy method
A.S. SaidovA. KutlimratovБ. СапаевU. T. DavlatovPhysical-Technical Institute AS RU, Tashkent (Uzbekistan)
2004en
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада