Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

7 та иш

Иш: 4H-SiC High Temperature Spectrometers

  1. High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions

    E. V. Kalinina, G. Kholujanov, В. Н. Соловьев +11

    Мақола20004 иқтибос
    ABI

  2. Development of a silicon carbide radiation detector

    F.H. Ruddy, A.R. Dulloo, J.G. Seidel +2

    Мақола19983 иқтибос
    ABI

  3. Ion Implantation - Tool for Fabrication of Advanced 4H-SiC Devices

    Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov, Yu. A. Goldberg +8

    МақолаSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum20022 иқтибос
    ABI

  4. Gettering Effect with Al Implanted into 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

    Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov, A. А. Ситникова +6

    МақолаSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum20031 иқтибос
    ABI

  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI