Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

14 та иш

Иш: Features of growing Si- and Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>-single-crystal films from solution-melt based on tin

  1. Photothermovoltaic Effect in p-Si−n-(Si2)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Structure

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov +2

    МақолаPhase-change materials and chalcogenidesApplied Solar Energy20198 иқтибос
    ABI

  2. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys

    Elham Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert +17

    Мақола20206 иқтибос
    ABI

  3. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzokov

    МақолаSemiconductor materials and interfacesCrystallography Reports20225 иқтибос
    ABI

  4. Impact of SiGe layer thickness in starting substrates on strained Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge condensation method

    Kwang-Won Jo, Wu-Kang Kim, Mitsuru Takenaka +1

    Мақола20194 иқтибос
    ABI

  5. Influence of GaAs molecules on the photosensitivity of pSi–n(GaSb)1–x (Si2) x and nGaAs–p(InSb)1–x (Sn2) x heterostructures

    Sh. N. Usmonov

    МақолаSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy20162 иқтибос
    ABI

  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI