Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

17 та иш

Иш: NDR in Co:SnO <sub>2</sub> Memristors: Nanocluster Control for Enhanced Performance

  1. Atomristor: Nonvolatile Resistance Switching in Atomic Sheets of Transition Metal Dichalcogenides

    Ruijing Ge, Xiaohan Wu, Myungsoo Kim +6

    Мақола20175 иқтибос
    ABI

  2. Resistive Switching Behavior of SnO₂/ZnO Heterojunction Thin Films for Non-Volatile Memory Applications

    Jamoliddin X. Murodov, Sh. U. Yuldashev, Azamat O. Arslanov +6

    МақолаAdvanced Memory and Neural ComputingEast European Journal of Physics20254 иқтибос
    ABI

  3. Сарлавҳасиз

    Бошқа4 иқтибос
    ABI

  4. Memristive behavior of ZnO/NiO stacked heterostructure

    Rui Zhang, Sh. U. Yuldashev, Jung‐Kyu Lee +3

    Мақола20132 иқтибос
    ABI

  5. Hysteretic current–voltage characteristics and resistance switching at a rectifying Ti∕Pr0.7Ca0.3MnO3 interface

    Akihito Sawa, Toshihiro Fujii, M. Kawasaki +1

    Мақола20042 иқтибос
    ABI

  6. Transition Metal Chalcogenides: Ultrathin Inorganic Materials with Tunable Electronic Properties

    Thomas Heine

    Мақола20142 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  17. Effect of SiO<sub>2</sub> and Post-Annealed Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Buffer Layers on Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Film Growth and Properties

    Noiba U. Botirova, Azamat O. Arslanov, Gofur B. Eshonkulov +4

    МақолаGa2O3 and related materialsCrystal Growth & Design20251 иқтибос
    ABI