Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

29 та иш

Иш: Defect-engineered resistive switching and NDR behavior in Mn-doped SnO2 memristors

  1. The missing memristor found

    Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart +1

    Мақола200811 иқтибос
    ABI
  2. Memristor-The missing circuit element

    Leon O. Chua

    Мақола19718 иқтибос
    ABI
  3. Memristive devices for computing

    J. Joshua Yang, Dmitri B. Strukov, Duncan R. Stewart

    Мақола20126 иқтибос
    ABI
  4. Nanoionics-based resistive switching memories

    Rainer Waser, Masakazu Aono

    Мақола20075 иқтибос
    ABI
  5. Redox‐Based Resistive Switching Memories – Nanoionic Mechanisms, Prospects, and Challenges

    Rainer Waser, Regina Dittmann, G. Staikov +1

    Шарҳ мақола20094 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа4 иқтибос
    ABI
  7. In-memory computing with resistive switching devices

    Daniele Ielmini, H.‐S. Philip Wong

    Мақола20183 иқтибос
    ABI
  8. Effect of Mn doping on the structural and optical properties of SnO2 nanoparticles

    Ameer Azam, Arham S. Ahmed, Sami S. Habib +1

    Мақола20122 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI