Р. А. Хабибуллин

2 ta ish

National Research Nuclear University MEPhI

1. Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts

   V. A. Kulbachinskiı̆, N. A. Yuzeeva, Г. Б. Галиев +4

   Maqola20126 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2026.other.258959

2. Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts

   Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев +4

   Maqola20122 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2026.other.559412