Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Xizmatlar

← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

22 ta ish

Ish: Growing Ge1-xSnx solid solutions on Ge, GaAs substrates

  1. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures

    A.S. Saidov, A. Sh. Razzokov

    MaqolaSemiconductor materials and interfacesCrystallography Reports20227 iqtibos
    ABI

  2. Si‐Ge‐Metal Ternary Phase Diagram Calculations

    Jean‐Pierre Fleurial, A. Borshchevsky

    Maqola19905 iqtibos
    ABI

  3. Studies of the crystal structure of solid solutions (Sn2)1−x−y(GaAs)x(ZnSe)y, (GaAs)1−x(ZnSe)x grown from liquid phase

    A. Sh. Razzokov, A.S. Saidov, B. Allabergenov +3

    MaqolaChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of Crystal Growth20234 iqtibos
    ABI

  4. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish3 iqtibos
    ABI

  5. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  6. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  7. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  8. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI

  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI

  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  13. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI

  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  15. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  16. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  17. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI

  18. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI

  19. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  20. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI

  21. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  22. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI