Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Xizmatlar

← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

39 ta ish

Ish: Microstructural and strain control in 14C-doped 3C-SiC/Si(100): Substrate resistivity, growth mode, and HRXRD–Raman defect analysis

  1. Ion and electron irradiation-induced effects in nanostructured materials

    Arkady V. Krasheninnikov, K. Nordlund

    Maqola20107 iqtibos
    ABI

  2. Sarlavhasiz

    Boshqa3 iqtibos
    ABI

  3. Negative Isotopic Shift of the LO Phonon in 3C-SiC: A Universal Mechanism of Mass Effect Dominance in Cubic Crystals

    M. V. Dolgopolov, A. S. Chipura

    Maqola20253 iqtibos
    ABI

  4. In Situ Mapping of Space Charge Region Activation Dynamics in SiC/Si-Based Heterostructures by KPFM/STS: Role of Interface State Recharging

    M. V. Dolgopolov, N. A. Ivliev, V. V. Radenko +3

    MaqolaSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesPhysics of Particles and Nuclei Letters20262 iqtibos
    ABI

  5. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  6. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  7. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  8. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  9. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  13. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  15. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  16. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  17. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  18. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  19. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  20. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  21. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  22. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  23. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  24. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  25. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI