Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0≤ x≤0.01) гетероструктуре
A.S. SaidovФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, УзбекистанА.Ю. ЛейдерманSh. N. UsmonovФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, УзбекистанK. A. AmonovФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
ABI
Annotatsiya
AbstractThe current–voltage characteristics of p -Si– n -(Si_2)_1 –_ x (ZnSe)_ x (0 ≤ x ≤ 0.01) heterostructures are studied at various temperatures. It is found that the current–voltage characteristics of such structures contain a portion of a sublinear increase in the current with voltage such as V = V _0 exp( Jad ). The concentrations of deep impurities responsible for the appearance of the sublinear portion in the current–voltage characteristic are estimated. The experimental results are explained based on the theory of the injection depletion effect.
Hali tarjima qilinmagan
Mavzular
Identifikatorlar
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba
Koʻrsatkichlar — AkademScholar · Tez orada