Физика и техника полупроводников

16 ta ish

Jurnal · ISSN 0015-3222

1. Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells

   Bakhadyrkhanov M.K., Kenzhaev Z.T., S. Koveshnikov +2

   MaqolaSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников20225 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.235265

2. Effect of the presence of a sufficiently high phosphorus concentration on the concentration distribution of gallium in silicon

   M. K. Bakhadirkhanov, Zikrillaev N.F., С. Б. Исамов +2

   MaqolaAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesФизика и техника полупроводников20222 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.251145

3. Features of the electrophysical parameters of silicon serially doped with impurity atoms of phosphorus and boron

   Zikrillayev Kh. F., K. S. Ayupov, G. H. Mavlonov +2

   MaqolaSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников20221 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000912

4. Polarization-spectral dependences of three-photon interband absorption of light and linear-circular dichroism in semiconductors with cubic symmetry

   Rasulov V.R., Rasulov R. Ya., Eshboltaev I.M. +1

   MaqolaNonlinear Optical Materials StudiesФизика и техника полупроводников20221 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.001853

5. Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами

   К.А. Исмайлов, Н.Ф. Зикриллаев, С.В. Ковешников +1

   MaqolaSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников20221 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.001991

6. Comparative study of photocells based on silicon doped with nickel by various methods

   К. А. Исмайлов, Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov +1

   MaqolaSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников20221 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559444

7. Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0≤ x≤0.01) гетероструктуре

   A.S. Saidov, А.Ю. Лейдерман, Sh. N. Usmonov +1

   MaqolaSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceФизика и техника полупроводников20180 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2018.article.000827

8. Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs

   А.С. Газизулина, А.А. Насиров, А.А. Небесный +2

   MaqolaMagnetic Properties and ApplicationsФизика и техника полупроводников20200 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2020.article.001827

9. Размерное квантование в n-GaP

   B.P. Расулов, Р.Я. Расулов, И.М. Эшболтаев +1

   MaqolaGaN-based semiconductor devices and materialsФизика и техника полупроводников20200 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2020.article.002358

10. Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb-p-Si<Mn>-Au

    О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

    MaqolaSemiconductor materials and interfacesФизика и техника полупроводников20200 iqtibos

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2020.article.002405

11. Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца

    М.К. Бахадирханов, С. Б. Исамов, Н.Ф. Зикриллаев +1

    MaqolaMilitary Technology and StrategiesФизика и техника полупроводников20210 iqtibos

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.004303

12. Interband two-photon linear-circular dichroism in semiconductors in the Kane approximation

    Rasulov V.R., Rasulov R. Ya., Akhmedov B.B. +1

    MaqolaNonlinear Optical Materials StudiesФизика и техника полупроводников20220 iqtibos

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.007669

13. Influence of Illumination and Temperature on Tenso Properties of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms

    S. A. Tursinbaev

    MaqolaLaser-Ablation Synthesis of NanoparticlesФизика и техника полупроводников20220 iqtibos

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.010419

14. Composition and electronic structure of hidden nanoscale phases and layers of BaSi-=SUB=-2-=/SUB=- formed in the near-surface of Si

    Б. Е. Умирзаков, M.T. Normuradov, D. A. Normurodov +1

    MaqolaSemiconductor materials and interfacesФизика и техника полупроводников20220 iqtibos

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.010500

15. Compensation effect of growth of the lifetime of charged carriers in semiconductors at a magnetic field

    Muratov T.T.

    MaqolaMaterial Science and ThermodynamicsФизика и техника полупроводников20220 iqtibos

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.010721

16. States of silicon nanoclusters containing carbon impurities

    Tashmetov M. Yu., Makhkamov Sh. M., F. T. Umarova +4

    MaqolaMaterial Science and ThermodynamicsФизика и техника полупроводников20230 iqtibos

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.002892