Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: The influence of inversion layer on the characteristics of the contact-adjoining layer in solar-cell silicon Schottky MTIS structures

1. MIS and SIS solar cells

   J. Shewchun, D.E. Burk, M. B. Spitzer

   Статья1980Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659164

2. Depletion widths of the metal-insulator semiconductor (MIS) structure

   Chein Wei Jen, Chung Len Lee, Tan Fu Lei

   Статья1981Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659165

3. A comparison of majority- and minority-carrier silicon MIS solar cells

   K.K. Ng, H.C. Card

   Статья1980Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659608

4. Transient Processes of Current Reversal in MIS Structures with Majority and Minority Charge Carriers

   S. A. Asimov, D. A. Aronov, D. K. Isamukhamedova +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesphysica status solidi (a)1982Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1982.article.000074

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659602

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659603

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659604

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659605

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659606

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659607

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659609

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659610