Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: Carrier transport in a diode base with locally nonuniform recombination properties

1. On the generation of radiation defects by accelerated ions in silicon

   А. В. Иванов, N. B. Strokan

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters1998Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1998.article.000274