Статья

Polycrystalline silicon S-diode fabricated using phosphorus thermal diffusion along grain boundaries

R. AlievInstitute of Electronics, Academgorodok, 700143, Tashkent, UzbekistanB. M. AbdurakhmanovInstitute of Electronics, Academgorodok, 700143, Tashkent, UzbekistanR. BilyalovInstitute of Electronics, Academgorodok, 700143, Tashkent, Uzbekistan

Interface Sciencejournal1997en

ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Semiconductor materials and interfaces Silicon and Solar Cell Technologies Silicon Nanostructures and Photoluminescence

Идентификаторы

DOI: 10.1007/bf00200844

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 3

Показатели — AkademScholar · Скоро