Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Unstrained epitaxial InxGa1−xAs films obtained on porous GaAs

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.522140

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.522141

3. Growth of cubic GaN by molecular-beam epitaxy on porous GaAs substrates

   V. V. Mamutin, V. P. Ulin, V. V. Tret’yakov +3

   СтатьяGaN-based semiconductor devices and materialsTechnical Physics Letters1999Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.522142