Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: Doping of <i>n</i>-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam

1. Radiation Hardness of Silicon Carbide

   A. А. Lebedev, Vitalii V. Kozlovski, N. B. Strokan +4

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2003Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000098